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Mikro­wel­len­de­tek­tierte Photo­leit­fä­higkeit an wide-bandgap-Halbleitern für Leistungs- und Optoelek­tronik

Kurzbeschreibung

Innerhalb dieses Projektes konnte die bei Freiberg Instru­ments (FI) beste­hende Techno­logie zur kontakt­losen ortsauf­ge­lösten Charak­te­ri­sierung von Ladungs­träger-Lebens­dauern in Silizium in Form des Gerätes MDPmap weiter­ent­wi­ckelt werden, um entspre­chende Messungen an modernen, wide-bandgap Halbleitern der Leistungs- und Optoelek­tronik (SiC, GaN) zu ermög­lichen.